Dezvoltarea de instrumente pentru simularea tranzistoarelor MOSFET

Text de dezvoltare a instrumentelor pentru simularea tranzistoarelor MOSFET

Universitatea din Santiago de Compostela

pentru

Departamentul de Electronică și Calcul

DEZVOLTAREA UNELTELOR PENTRU

SIMULAREA TRANSISTORILOR MOSFET

Prezintă: Manuel Antonio Aldegunde Rodrguez

Regia: Antonio Jesus Garca Loureiro

Santiago de Compostela, martie 2009

Dr. Antonio Jesus Garca Loureiro, profesor asociat al Departamentului de Electronică la Universitatea din Santiago de Compostela

Că raportul intitulat Dezvoltarea instrumentelor pentru simularea tranzistoarelor MOSFET a fost realizat de domnul Manuel Antonio Aldegunde Rodríguez sub direcția mea în cadrul Departamentului de Electronică și Calcul al Universității din Santiago de Compostela și constituie teza pe care acesta o prezintă pentru a opta pentru gradul de doctor în științe fizice.

Santiago de Compostela, martie 2009

Semnat: Antonio Jesus Garca Loureiro Director al tezei

Semnat: Javier Daz Bruguera Director al Departamentului de Electronică și Calcul

Semnat: Manuel Antonio Aldegunde Rodrguez Autor al tezei

În primul rând, aș dori să-mi exprim recunoștința față de toți acei oameni care, deși nu au fost menționați explicit în paragrafele ulterioare, m-au ajutat să fac această amintire.

Directorul meu, Antonio Garca Loureiro, merită o mulțumire specială pentru ajutorul și sprijinul său constant pe parcursul celor peste patru ani de elaborare a acestei teze. Fără efortul și devotamentul său în momentele cele mai dificile nu aș fi ajuns la acest punct.

Tuturor membrilor Departamentului de Electronică și Calcul, în special membrilor Grupului de Arhitectură de Calculatoare, pentru că mi-au oferit sprijinul necesar pentru realizarea acestei lucrări. Fără facilitățile pe care mi le-a dat acest raport, nici nu ar fi fost posibil. Colegilor mei (și foștilor colegi), în special Oscar, Javi, Diego, Dani, Julio, Juan Angel, Fabi, Marcos, Cris, Raul și Enrique, pentru că au petrecut atât de multe ore în laborator plăcut. Și Nataliei, pentru ajutorul din prima zi, pentru răbdarea, pentru fericirea și prietenia ei.

De asemenea, trebuie să le mulțumesc membrilor Grupului de modelare a dispozitivelor de la Universitatea din Glasgow pentru amabilitatea și colaborarea lor în timpul șederilor mele în Scoția. Printre acestea, trebuie menționat profesorul Asen Asenov, pentru contribuția sa la dezvoltarea acestei teze de doctorat, și Karol Kalna, pentru ajutorul său constant, ideile și explicațiile sale, mai ales în primii mei pași cu metoda Monte Carlo.

Pentru EPCC și mai ales pentru CESGA pentru a permite și facilita accesul la resursele computerului lor. Ministerelor Științei și Tehnologiei și ulterior Educației și Științei pentru finanțare prin proiectele TIN2004-07797-C02 și TIN 2007-67537-C03 și printr-o bursă din programul de formare a cadrelor didactice universitare. Către Xunta de Galicia pentru finanțare prin proiectele DXIDI07TIC01CT și INCITE08PXIB206094PR.

Desigur, familia mea, pentru sprijinul și ajutorul lor constant. Și prietenii mei, fă-mă să plec de la serviciu.

Și din nou tuturor oamenilor pe care nu i-am numit care mi-au făcut posibil să ajung aici.

Știința va fi întotdeauna o căutare, niciodată o descoperire reală. Este o călătorie, niciodată o sosire.

Solurile mă sperie.Vrei să spui înălțimi, a spus Conina. Și nu mai fi prost, știu la ce mă refer! Solurile te omoară!

Rechicero. Terry pratchett

1. Dispozitive MOSFET 9

1.1. MOSFET-ul convențional, scalarea și starea actuală a tehnologiei. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

1.2. Alternative la MOSFET-urile standard. . . . . . . . . . . . . . . 121.2.1. MOSFET-uri multiport. . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

1.2.2. Materiale noi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151.3. Tehnici de simulare. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17